Chip CI de la memoria de SRAM IS61WV25616BLL-10TLI del CHIP CI - paralelo asincrónico 10ns TSOP44 de IC 4Mb de la memoria
CARACTERÍSTICAS:
VELOCIDAD: (IS61/64WV25616ALL/BLL)
• Tiempo de acceso de alta velocidad: 8, 10, 20 ns
• Active Power bajo: 85 mW (típicos)
• Poder espera bajo: recurso seguro de 7 mW Cmos (típico)
ENERGÍA BAJA: (IS61/64WV25616ALS/BLS)
• Tiempo de acceso de alta velocidad: 25, 35, 45 ns
• Active Power bajo: 35 mW (típicos)
• Poder espera bajo: 0,6 recursos seguros del mW Cmos (típico)
• Sola fuente de alimentación
—DD 1.65V de V a 2.2V (IS61WV25616Axx)
—DD 2.4V de V a 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)
• Operación completamente estática: ningún reloj o restaura requerido
• Tres salidas del estado
• Control de datos para los bytes superiores y más bajos
• Ayuda industrial y automotriz de la temperatura
• Disponible sin plomo
BLOQUE DIAGRAMA FUNCIONAL:
DESCRIPCIÓN
El ISSI IS61WV25616Axx/Bxx e IS64WV25616Bxx
son de alta velocidad, 4.194.304 espolones estáticos del pedazo organizados como 262.144 palabras por 16 pedazos. Es tecnología de alto rendimiento del Cmos de los usingISSI fabricados. Este favorables cess altamente confiables juntados con técnicas de diseño innovadoras de circuito,
producciones de alto rendimiento y bajo consumo de energía de vices.
Cuando el CE es ALTO (no reelegido como candidato), el dispositivo asume un modo espera en el cual la disipación de poder se pueda reducir abajo con los niveles de introducción de datos del Cmos.
La extensión de memoria fácil se proporciona usando microprocesador permite y hacer salir permita las entradas, el CE y OE. El PUNTO BAJO activo escribe permite la escritura de los controles de (WE) y la lectura de la memoria. Un byte de datos permite el byte superior (UB) y un acceso más bajo de (LB) del byte.
Los IS61WV25616Axx/Bxx y los IS64WV25616Bxx se empaquetan en el tipo II del perno TSOP del estándar 44 de JEDEC y 48 fijan mini BGA (6m m x 8m m).
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS de DC (sobre el rango de operación)
VDD = 3.3V el + 5%
| Símbolo |
Parámetro |
Condiciones de prueba |
Mínimo. |
Máximo. |
Unidad |
| VOH |
Alto voltaje de la salida |
VDD = Min., IOH = – 4,0 mA |
2,4 |
— |
V |
| VOL |
BAJA tensión de la salida |
VDD = Min., IOL = 8,0 mA |
— |
0,4 |
V |
| VIH |
Alto voltaje de la entrada |
|
2 |
VDD + 0,3 |
V |
| VIL |
BAJA tensión de la entrada (1) |
|
– 0,3 |
0,8 |
V |
| ILI |
Salida de la entrada |
£ V DE LA TIERRAEN LADD DEL £ V |
– 1 |
1 |
µA |
| ILO |
Salida de la salida |
DD del £ Vdel £ V de la tierraHACIA FUERA, salidas inhabilitadas |
– 1 |
1 |
µA |
Nota:
1. VIL (mínimo) = – 0.3V DC; VIL (mínimo) = – CA 2.0V (anchura de pulso < 10="" ns="">
VIH (máximo) = VDD + 0.3V DC; VIH (máximo) = V CADD + 2.0V (anchura de pulso < 10="" ns="">
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS de DC (sobre el rango de operación)
VDD = 2.4V-3.6V
| Símbolo |
Parámetro |
Condiciones de prueba |
Mínimo. |
Máximo. |
Unidad |
| VOH |
Alto voltaje de la salida |
VDD = Min., IOH = – 1,0 mA |
1,8 |
— |
V |
| VOL |
BAJA tensión de la salida |
VDD = Min., IOL = 1,0 mA |
— |
0,4 |
V |
| VIH |
Alto voltaje de la entrada |
|
2,0 |
VDD + 0,3 |
V |
| VIL |
BAJA tensión de la entrada (1) |
|
– 0,3 |
0,8 |
V |
| ILI |
Salida de la entrada |
£ V DE LA TIERRAEN LADD DEL £ V |
– 1 |
1 |
µA |
| ILO |
Salida de la salida |
DD del £ Vdel £ V de la tierraHACIA FUERA, salidas inhabilitadas |
– 1 |
1 |
µA |
Nota:
1. VIL (mínimo) = – 0.3V DC; VIL (mínimo) = – CA 2.0V (anchura de pulso < 10="" ns="">
VIH (máximo) = VDD + 0.3V DC; VIH (máximo) = V CADD + 2.0V (anchura de pulso < 10="" ns="">
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS de DC (sobre el rango de operación)
VDD = 1.65V-2.2V
| Símbolo |
Parámetro |
Condiciones de prueba |
VDD |
Mínimo. |
Máximo. |
Unidad |
| VOH |
Alto voltaje de la salida |
IOH = -0,1 mA |
1.65-2.2V |
1,4 |
— |
V |
| VOL |
BAJA tensión de la salida |
IOL = 0,1 mA |
1.65-2.2V |
— |
0,2 |
V |
| VIH |
Alto voltaje de la entrada |
|
1.65-2.2V |
1,4 |
VDD + 0,2 |
V |
| VIL (1) |
BAJA tensión de la entrada |
|
1.65-2.2V |
– 0,2 |
0,4 |
V |
| ILI |
Salida de la entrada |
£ V DE LA TIERRAEN LADD DEL £ V |
– 1 |
1 |
µA |
| ILO |
Salida de la salida |
DD del £ Vdel £ V de la tierraHACIA FUERA, salidas inhabilitadas |
– 1 |
1 |
µA |
Nota:
1. VIL (mínimo) = – 0.3V DC; VIL (mínimo) = – CA 2.0V (anchura de pulso < 10="" ns="">
VIH (máximo) = VDD + 0.3V DC; VIH (máximo) = V CADD + 2.0V (anchura de pulso < 10="" ns="">
CONDICIONES DE PRUEBA DE LA CA
| Parámetro |
Unidad |
Unidad |
Unidad |
| |
(2.4V-3.6V) |
(3.3V el +10%) |
(1.65V-2.2V) |
| InputPulseLevel |
0Vto3V |
0Vto3V |
0Vto1.8V |
| Subida de la entrada y tiempos de caída |
1V/ ns |
1V/ ns |
1V/ ns |
| AndReferenceLevel de InputandOutputTiming (referenciade V) |
1.5V |
1.5V |
0.9V |
| OutputLoad |
Véase los cuadros 1 y 2 |
Véase los cuadros 1 y 2 |
Véase los cuadros 1 y 2 |
¡Su mensaje debe tener entre 20 y 3.000 caracteres!