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Paralelo asincrónico 4Mb 10ns de los circuitos integrados electrónicos de SRAM IS61WV25616BLL-10TLI TSOP44

Informacion basica
Certificación: Original Parts
Número de modelo: IS61WV25616BLL-10TLI
Cantidad de orden mínima: 1 pedazo
Precio: Negotiation
Detalles de empaquetado: el 10cm el x 10cm los x 5cm
Tiempo de entrega: 3-5 días
Condiciones de pago: T/T, Paypal, Western Union, fideicomiso y otros
Capacidad de la fuente: 500-2000pcs por mes
Información detallada
Nº de artículo: IS61WV25616BLL-10TLI Tipo de la memoria: Volátil
formato de la memoria: SRAM Tamaño de la memoria: Tamaño de la memoria
Alta luz:

Circuitos integrados IC

,

chip CI electrónico


Descripción de producto

 

Chip CI de la memoria de SRAM IS61WV25616BLL-10TLI del CHIP CI - paralelo asincrónico 10ns TSOP44 de IC 4Mb de la memoria

 

 

CARACTERÍSTICAS:

 

VELOCIDAD: (IS61/64WV25616ALL/BLL)

• Tiempo de acceso de alta velocidad: 8, 10, 20 ns

• Active Power bajo: 85 mW (típicos)

• Poder espera bajo: recurso seguro de 7 mW Cmos (típico)

ENERGÍA BAJA: (IS61/64WV25616ALS/BLS)

• Tiempo de acceso de alta velocidad: 25, 35, 45 ns

• Active Power bajo: 35 mW (típicos)

• Poder espera bajo: 0,6 recursos seguros del mW Cmos (típico)

• Sola fuente de alimentación

DD 1.65V de V a 2.2V (IS61WV25616Axx)

DD 2.4V de V a 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)

• Operación completamente estática: ningún reloj o restaura requerido

• Tres salidas del estado

• Control de datos para los bytes superiores y más bajos

• Ayuda industrial y automotriz de la temperatura

• Disponible sin plomo

BLOQUE DIAGRAMA FUNCIONAL:

DESCRIPCIÓN

El ISSI IS61WV25616Axx/Bxx e IS64WV25616Bxx

son de alta velocidad, 4.194.304 espolones estáticos del pedazo organizados como 262.144 palabras por 16 pedazos. Es tecnología de alto rendimiento del Cmos de los usingISSI fabricados. Este favorables cess altamente confiables juntados con técnicas de diseño innovadoras de circuito,

producciones de alto rendimiento y bajo consumo de energía de vices.

 

Cuando el CE es ALTO (no reelegido como candidato), el dispositivo asume un modo espera en el cual la disipación de poder se pueda reducir abajo con los niveles de introducción de datos del Cmos.

 

La extensión de memoria fácil se proporciona usando microprocesador permite y hacer salir permita las entradas, el CE y OE. El PUNTO BAJO activo escribe permite la escritura de los controles de (WE) y la lectura de la memoria. Un byte de datos permite el byte superior (UB) y un acceso más bajo de (LB) del byte.

 

Los IS61WV25616Axx/Bxx y los IS64WV25616Bxx se empaquetan en el tipo II del perno TSOP del estándar 44 de JEDEC y 48 fijan mini BGA (6m m x 8m m).

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS de DC (sobre el rango de operación)

VDD = 3.3V el + 5%

 

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Máximo. Unidad
VOH Alto voltaje de la salida VDD = Min., IOH = – 4,0 mA 2,4 V
VOL BAJA tensión de la salida VDD = Min., IOL = 8,0 mA 0,4 V
VIH Alto voltaje de la entrada   2 VDD + 0,3 V
VIL BAJA tensión de la entrada (1)   – 0,3 0,8 V
ILI Salida de la entrada £ V DE LA TIERRAEN LADD DEL £ V – 1 1 µA
ILO Salida de la salida DD del £ Vdel £ V de la tierraHACIA FUERA, salidas inhabilitadas – 1 1 µA

Nota:

1. VIL (mínimo) = – 0.3V DC; VIL (mínimo) = – CA 2.0V (anchura de pulso < 10="" ns="">

VIH (máximo) = VDD + 0.3V DC; VIH (máximo) = V CADD + 2.0V (anchura de pulso < 10="" ns="">

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS de DC (sobre el rango de operación)

VDD = 2.4V-3.6V

 

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Máximo. Unidad
VOH Alto voltaje de la salida VDD = Min., IOH = – 1,0 mA 1,8 V
VOL BAJA tensión de la salida VDD = Min., IOL = 1,0 mA 0,4 V
VIH Alto voltaje de la entrada   2,0 VDD + 0,3 V
VIL BAJA tensión de la entrada (1)   – 0,3 0,8 V
ILI Salida de la entrada £ V DE LA TIERRAEN LADD DEL £ V – 1 1 µA
ILO Salida de la salida DD del £ Vdel £ V de la tierraHACIA FUERA, salidas inhabilitadas – 1 1 µA

Nota:

1. VIL (mínimo) = – 0.3V DC; VIL (mínimo) = – CA 2.0V (anchura de pulso < 10="" ns="">

VIH (máximo) = VDD + 0.3V DC; VIH (máximo) = V CADD + 2.0V (anchura de pulso < 10="" ns="">

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS de DC (sobre el rango de operación)

VDD = 1.65V-2.2V

 

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba VDD Mínimo. Máximo. Unidad
VOH Alto voltaje de la salida IOH = -0,1 mA 1.65-2.2V 1,4 V
VOL BAJA tensión de la salida IOL = 0,1 mA 1.65-2.2V 0,2 V
VIH Alto voltaje de la entrada   1.65-2.2V 1,4 VDD + 0,2 V
VIL (1) BAJA tensión de la entrada   1.65-2.2V – 0,2 0,4 V
ILI Salida de la entrada £ V DE LA TIERRAEN LADD DEL £ V – 1 1 µA
ILO Salida de la salida DD del £ Vdel £ V de la tierraHACIA FUERA, salidas inhabilitadas – 1 1 µA

Nota:

1. VIL (mínimo) = – 0.3V DC; VIL (mínimo) = – CA 2.0V (anchura de pulso < 10="" ns="">

VIH (máximo) = VDD + 0.3V DC; VIH (máximo) = V CADD + 2.0V (anchura de pulso < 10="" ns="">

CONDICIONES DE PRUEBA DE LA CA

 

Parámetro Unidad Unidad Unidad
  (2.4V-3.6V) (3.3V el +10%) (1.65V-2.2V)
InputPulseLevel 0Vto3V 0Vto3V 0Vto1.8V
Subida de la entrada y tiempos de caída 1V/ ns 1V/ ns 1V/ ns
AndReferenceLevel de InputandOutputTiming (referenciade V) 1.5V 1.5V 0.9V
OutputLoad Véase los cuadros 1 y 2 Véase los cuadros 1 y 2 Véase los cuadros 1 y 2

Contacto
Karen.