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Microprocesador de memoria Flash

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Microprocesador de memoria Flash

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China Microprocesador de memoria Flash de THGBM5G5A1JBA1R, almacenamiento original de memoria Flash de BGA-153 4gb NAND nuevo fábrica

Microprocesador de memoria Flash de THGBM5G5A1JBA1R, almacenamiento original de memoria Flash de BGA-153 4gb NAND nuevo

Microprocesador de memoria Flash, almacenamiento de destello del &original de la memoria BGA-153 4GB NAND de THGBM5G5A1JBA1R nuevo Descripción: 24nm 128G THGBM4TODBGAIJ 64G THGBM4G9D8GBAII 32G THGBM4G8D4GBAIE ... Read More
2018-09-26 16:51:00
China PARALELO de alta velocidad 166MHZ del microprocesador de memoria Flash de MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND IC RAM 2G fábrica

PARALELO de alta velocidad 166MHZ del microprocesador de memoria Flash de MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND IC RAM 2G

PARALELO de RAM 2G del FLASH del microprocesador de memoria Flash MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND IC 166MHZ Parte MT29C2G48MAKLCJI-6 ÉL Categoría Circuitos integrados (ICs) Título FLASH de (ics) del circuito integrado ... Read More
2018-09-26 17:00:51
China Memoria Flash 63vfbga 2,7 V ~ 3,6 V del paralelo NAND de Mt29f2g08abaeah4-It E Ic 2gb fábrica

Memoria Flash 63vfbga 2,7 V ~ 3,6 V del paralelo NAND de Mt29f2g08abaeah4-It E Ic 2gb

FLASH los 512M 63VFBGA PARALELO del microprocesador de memoria Flash MX30LF1208AA-XKI IC NAND Especificaciones técnicas del producto UE RoHS Obediente ECCN (LOS E.E.U.U.) 3A991.b.1.a Tipo de la célula SLC NAND ... Read More
2018-09-26 16:56:17
China Microprocesador de memoria Flash TC58NVG0S3HBAI4, PARALELO de destello 63TFBGA del microprocesador 1G del almacenamiento de IC fábrica

Microprocesador de memoria Flash TC58NVG0S3HBAI4, PARALELO de destello 63TFBGA del microprocesador 1G del almacenamiento de IC

PARALELO 63TFBGA del FLASH 1G del microprocesador de memoria Flash TC58NVG0S3HBAI4 IC Categorías Circuitos integrados (ICs) Memoria Fabricante Toshiba Memory America, Inc. Serie - Empaquetado Bandeja Situación ... Read More
2018-09-26 16:31:56
China Chip CI 64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 IC SDRAM DDR2 de memoria Flash de la energía baja fábrica

Chip CI 64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 IC SDRAM DDR2 de memoria Flash de la energía baja

Microprocesador de memoria Flash W971GG6JB-18, chip de memoria BGA84 de IC SDRAM DDR2 64Mx16 Características Tipo DDR2 SDRAM Organización x16 Velocidad 1066 MT/s Voltaje 1,8 V Paquete WBGA-84 El W971GG6JB es un ... Read More
2018-09-26 16:29:19
China Microprocesador de regulador del flash de K9F5608UOD-PCBO NAND memoria Flash del pedazo NAND de los 32M de x 8 pedazo el 16M x 16 fábrica

Microprocesador de regulador del flash de K9F5608UOD-PCBO NAND memoria Flash del pedazo NAND de los 32M de x 8 pedazo el 16M x 16

Microprocesador de destello K9F5608UOD-PCBO memoria Flash del pedazo NAND de los 32M de Memorry de x 8 pedazo el 16M x 16 Característica: Read More
2018-09-26 16:37:21
China Microprocesador de memoria Flash móvil de la COPITA de HY5PS1G831CFP-S6 RDA 128MX8 0.4ns Cmos PBGA60 fábrica

Microprocesador de memoria Flash móvil de la COPITA de HY5PS1G831CFP-S6 RDA 128MX8 0.4ns Cmos PBGA60

COPITA del microprocesador de memoria Flash HY5PS1G831CFP-S6 RDA, 128MX8, 0.4ns, Cmos, PBGA60 Características VDD = 1,8 +/- 0.1V•VDDQ = 1,8 +/- 0.1V Todas las entradas y salidas son compatibles con el interfaz ... Read More
2018-09-26 17:02:43
China Paralelo desprendible 63vfbga del módulo de memoria Flash de MX30LF1208AA-XKI Ic 512mb NAND fábrica

Paralelo desprendible 63vfbga del módulo de memoria Flash de MX30LF1208AA-XKI Ic 512mb NAND

FLASH los 512M 63VFBGA PARALELO del microprocesador de memoria Flash MX30LF1208AA-XKI IC NAND Descripción básica: Memoria Flash de la serie 3,6 V 512 Mbit (64 pedazo) de M x 8 NAND de MX30LF - VFBGA-63 Mfr Part... Read More
2018-09-26 16:40:54
China Tipo industria de seguridad de memoria Flash 2g 63vfbga del paralelo NAND de MX30LF2G18AC-XKI Ic fábrica

Tipo industria de seguridad de memoria Flash 2g 63vfbga del paralelo NAND de MX30LF2G18AC-XKI Ic

PARALELO 63VFBGA del flash 2G del microprocesador de memoria Flash MX30LF2G18AC-XKI IC NAND Serie de MX30LFx 2 GB (256 M x 8) memoria Flash del soporte NAND de la superficie de 3,6 V - VFBGA-63 Mfr Part#: ... Read More
2018-09-26 16:53:22
China Microprocesador de memoria Flash de la alta capacidad TC58BYG1S3HBAI6, memoria USB 67VFBGA de 2gb NAND fábrica

Microprocesador de memoria Flash de la alta capacidad TC58BYG1S3HBAI6, memoria USB 67VFBGA de 2gb NAND

PARALELO 67VFBGA del FLASH 2G del microprocesador de memoria Flash TC58BYG1S3HBAI6 IC él TC58BYG1S3HBAI6 es un solo 1.8V 2 Gbit (2.214.592.512 pedazos) NAND eléctricamente borrable y memoria microprogramable ... Read More
2018-09-26 17:05:35
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