Certificación: | Original Parts |
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Número de modelo: | TC58BYG1S3HBAI6 |
Cantidad de orden mínima: | 1 pedazo |
Precio: | Negotiation |
Detalles de empaquetado: | el 10cm el x 10cm los x 5cm |
Tiempo de entrega: | 3-5 días |
Condiciones de pago: | T/T, Paypal, Western Union, fideicomiso y otros |
Capacidad de la fuente: | 500-2000pcs por mes |
Artículo Numbe: | TC58BYG1S3HBAI6 | Denisty: | 2Gb (los 256M x 8) |
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Categoría de productos: | Memoria y memoria Flash | Interfaz de la memoria: | Paralelo |
Voltio.: | 1,7 V ~ 1,95 V | Tecnología: | FLASH - NAND (TLC) |
Temporeros.: | -40°C ~ 85°C (TA) | Paquete: | 67-VFBGA |
Alta luz: | tipo memoria Flash del NAND,chip CI de memoria Flash |
PARALELO 67VFBGA del FLASH 2G del microprocesador de memoria Flash TC58BYG1S3HBAI6 IC
él TC58BYG1S3HBAI6 es un solo 1.8V 2 Gbit (2.214.592.512 pedazos) NAND eléctricamente borrable y memoria microprogramable (NAND E2PROM) organizada como (2048 + 64) × 2048blocks de las páginas del × 64 de los bytes. El dispositivo tiene un registro estático de 2112 bytes que permita el programa y los datos leídos que se transferirán entre el registro y los incrementos de los bytes del arsenal de célula de memoria en 2112. La operación del borrado se ejecuta en una sola unidad del bloque (128 kilobytes + 4 kilobytes: 2112 páginas del × 64 de los bytes).
El TC58BYG1S3HBAI6 es un serial-tipo dispositivo de memoria que utiliza los pernos de la entrada-salida para la dirección y la entrada-salida de los datos así como para las entradas de comando. Las operaciones del borrado y del programa se ejecutan automáticamente que hacen el dispositivo el más conveniente para los usos tales como almacenamiento de fichero de estado sólido, grabación de la voz, memoria del archivo de imagen para las cámaras fotográficas y otros sistemas que requieren almacenamiento de datos de alta densidad de la memoria permanente.
El TC58BYG1S3HBAI6 tiene lógica del ECC en el microprocesador y los errores leídos 8bit para cada 528Bytes se pueden corregir internamente
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Descripción | Valor |
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Arquitectura | Sectored |
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Organización del bloque | Simétrico |
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Tipo de la célula | SLC NAND |
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Densidad | 2 GB |
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Ayuda del ECC | Sí |
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Tipo de interfaz | Serial |
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Voltaje de fuente máximo de funcionamiento | 1,95 V |
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Voltaje de fuente mínimo de funcionamiento | 1,7 V |
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Montaje | Soporte superficial |
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Número de pedazos por palabra | Pedazo 8 |
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Número de palabras | 256 MWords |
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Temperatura de funcionamiento | °C -40 a 85 |
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Tamaño de página | 2 KB |
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Cuenta de Pin | 67 |
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Dimensiones del producto | 8 x 6,5 x 0,74 (máximo) |
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Voltaje programado | 1,7 a 1,95 V |
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Nivel de la investigación | Industrial |
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Tamaño de sector | 128 x 2048 KB |
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Paquete del proveedor | VFBGA |
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Tipo de la sincronización | Síncrono |
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Voltaje de fuente típico de funcionamiento | 1,8000 V |
Característica: