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Microprocesador de memoria Flash de la alta capacidad TC58BYG1S3HBAI6, memoria USB 67VFBGA de 2gb NAND

Informacion basica
Certificación: Original Parts
Número de modelo: TC58BYG1S3HBAI6
Cantidad de orden mínima: 1 pedazo
Precio: Negotiation
Detalles de empaquetado: el 10cm el x 10cm los x 5cm
Tiempo de entrega: 3-5 días
Condiciones de pago: T/T, Paypal, Western Union, fideicomiso y otros
Capacidad de la fuente: 500-2000pcs por mes
Información detallada
Artículo Numbe: TC58BYG1S3HBAI6 Denisty: 2Gb (los 256M x 8)
Categoría de productos: Memoria y memoria Flash Interfaz de la memoria: Paralelo
Voltio.: 1,7 V ~ 1,95 V Tecnología: FLASH - NAND (TLC)
Temporeros.: -40°C ~ 85°C (TA) Paquete: 67-VFBGA
Alta luz:

tipo memoria Flash del NAND

,

chip CI de memoria Flash


Descripción de producto

PARALELO 67VFBGA del FLASH 2G del microprocesador de memoria Flash TC58BYG1S3HBAI6 IC

Microprocesador de memoria Flash de la alta capacidad TC58BYG1S3HBAI6, memoria USB 67VFBGA de 2gb NAND 0

 

él TC58BYG1S3HBAI6 es un solo 1.8V 2 Gbit (2.214.592.512 pedazos) NAND eléctricamente borrable y memoria microprogramable (NAND E2PROM) organizada como (2048 + 64) × 2048blocks de las páginas del × 64 de los bytes. El dispositivo tiene un registro estático de 2112 bytes que permita el programa y los datos leídos que se transferirán entre el registro y los incrementos de los bytes del arsenal de célula de memoria en 2112. La operación del borrado se ejecuta en una sola unidad del bloque (128 kilobytes + 4 kilobytes: 2112 páginas del × 64 de los bytes).

 

El TC58BYG1S3HBAI6 es un serial-tipo dispositivo de memoria que utiliza los pernos de la entrada-salida para la dirección y la entrada-salida de los datos así como para las entradas de comando. Las operaciones del borrado y del programa se ejecutan automáticamente que hacen el dispositivo el más conveniente para los usos tales como almacenamiento de fichero de estado sólido, grabación de la voz, memoria del archivo de imagen para las cámaras fotográficas y otros sistemas que requieren almacenamiento de datos de alta densidad de la memoria permanente.

 

El TC58BYG1S3HBAI6 tiene lógica del ECC en el microprocesador y los errores leídos 8bit para cada 528Bytes se pueden corregir internamente

Cualidades técnicas

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Característica:

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Contacto
Karen.