Certificación: | Original Parts |
---|---|
Número de modelo: | TC58NVG0S3HBAI4 |
Cantidad de orden mínima: | 1 pedazo |
Precio: | Negotiation |
Detalles de empaquetado: | el 10cm el x 10cm los x 5cm |
Tiempo de entrega: | 3-5 días |
Condiciones de pago: | T/T, Paypal, Western Union, fideicomiso y otros |
Capacidad de la fuente: | 500-2000pcs por mes |
Artículo Numbe: | TC58NVG0S3HBAI4 | Denisty: | 1Gb (el 128M x 8) |
---|---|---|---|
Categoría de productos: | Memoria y memoria Flash | Interfaz de la memoria: | Paralelo |
Voltio.: | 2,7 V ~ 3,6 V | Tecnología: | FLASH - NAND (TLC) |
Temporeros.: | -40°C ~ 85°C (TA) | Paquete: | BGA63 |
Alta luz: | chip CI de memoria Flash,microprocesador de regulador de memoria Flash |
PARALELO 63TFBGA del FLASH 1G del microprocesador de memoria Flash TC58NVG0S3HBAI4 IC
Categorías | Circuitos integrados (ICs) | |
---|---|---|
Memoria | ||
Fabricante | Toshiba Memory America, Inc. | |
Serie | - | |
Empaquetado | Bandeja | |
Situación de la parte | Activo | |
Tipo de la memoria | Permanente | |
Formato de la memoria | FLASH | |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) | |
Tamaño de la memoria | 1Gb (el 128M x 8) | |
Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 25ns | |
Tiempo de acceso | 25ns | |
Interfaz de la memoria | Paralelo | |
Voltaje - fuente | 2,7 V ~ 3,6 V | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | |
Tipo del montaje | Soporte superficial | |
Paquete/caso | 63-VFBGA | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-TFBGA (9x11) |
Característica: