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Eficacia alta del soporte de la superficie del chip de memoria 256MX16 Cmos PBGA96 de la copita de H5TQ4G63CFR-RDC

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Eficacia alta del soporte de la superficie del chip de memoria 256MX16 Cmos PBGA96 de la copita de H5TQ4G63CFR-RDC

China Eficacia alta del soporte de la superficie del chip de memoria 256MX16 Cmos PBGA96 de la copita de H5TQ4G63CFR-RDC proveedor

Ampliación de imagen :  Eficacia alta del soporte de la superficie del chip de memoria 256MX16 Cmos PBGA96 de la copita de H5TQ4G63CFR-RDC

Datos del producto:

Certificación: ORIGINAL PARTS
Número de modelo: H5TQ4G63CFR-RDC

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1 paquete
Precio: Negotiation
Detalles de empaquetado: paquete de la bandeja, 1600/box
Tiempo de entrega: 3-5 días
Condiciones de pago: T/T, Paypal, Western Union, fideicomiso y otros
Capacidad de la fuente: 10K por mes
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Descripción detallada del producto
Nº de artículo: H5TQ4G63CFR-RDC Tipo de IC de la memoria: COPITA DE RDA
Modo de acceso: EXPLOSIÓN MULTI DE LA PÁGINA DEL BANCO Paquete: R-PBGA-B96
Anchura de la memoria: 16 Montaje: Montaje en superficie

COPITA del chip de memoria H5TQ4G63CFR-RDC RDA de la copita, 256MX16, Cmos, PBGA96
 
El H5TQ4G63 es una COPITA síncrona de la tarifa de 4.294.967.296 del pedazo Cmos datos del doble III (DDR3), adecuada idealmente para los usos de memoria principal que requiere densidad de memoria grande y alto ancho de banda. Operaciones completamente síncronas de la oferta de SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAMs referidas a los bordes de levantamiento y que caen del reloj. Mientras que todas las direcciones y entradas de control están trabadas en los bordes de levantamiento de las CK (bordes que caen de las CK), los datos, estroboscópicos de los datos y escriben máscaras de los datos que las entradas se muestrean en los bordes de levantamiento y que caen de él. Las trayectorias de datos internamente se canalizan y de 8 bits prefetched para alcanzar ancho de banda muy alto.
 

Características

  • VDD=VDDQ=1.5V +/- 0.075V
  • Operación de las entradas de reloj completamente diferenciado (CK, CK)
  • Estroboscópico diferenciado de los datos (DQS, DQS)
  • En el microprocesador DLL alinee la transición de DQ, de DQS y de DQS con la transición de las CK
  • Las máscaras del DM escriben dato-en los bordes de levantamiento y que caen del estroboscópico de los datos
  • Todas las direcciones y entradas de control excepto los datos, los estroboscópicos de los datos y las máscaras de los datos trabados en los bordes de levantamiento del reloj
  • Estado latente programable 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13 y 14 de CAS apoyados
  • Estado latente aditivo programable 0, CL-1, y CL2 apoyado
  • CAS programable escribe el estado latente (CWL) = 5, 6, 7, 8 9 y 10
  • Longitud programable 4/8 de la explosión con el mordisco secuencial y el modo de la interpolación
  • Interruptor del BL simultáneo
  • 8banks
  • La media restaura el ciclo (Tcase de 0°C~ 95°C)
    • 7,8 µs en 0°C ~ 85°C
    • 3,9 µs en 85°C ~ temperatura comercial 95°C (0°C ~ 95°C) temperatura industrial (-40°C ~ 95°C)
  • JEDEC 78ball estándar FBGA (x8), 96ball FBGA (x16)
  • Fuerza del conductor seleccionada por EMRS
  • Dinámico encendido muere la terminación apoyada
  • Perno asincrónico del RESET apoyado
  • Calibración de ZQ apoyada
  • TDQS (estroboscópico de los datos de la terminación) apoyado (x8 solamente)
  • Escriba Levelization apoyó
  • pre-búsqueda de 8 pedazos

Cualidades técnicas

 
 
 
 
 

ECCN/UNSPSC

 
 

Contacto
Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Persona de Contacto: Karen.

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