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Chip de memoria de COPITA de H9HCNNN4KMMLHR 4Gb, almacenamiento del microprocesador de Ram del ordenador de LPDDR4 BGA200

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Chip de memoria de COPITA de H9HCNNN4KMMLHR 4Gb, almacenamiento del microprocesador de Ram del ordenador de LPDDR4 BGA200

China Chip de memoria de COPITA de H9HCNNN4KMMLHR 4Gb, almacenamiento del microprocesador de Ram del ordenador de LPDDR4 BGA200 proveedor

Ampliación de imagen :  Chip de memoria de COPITA de H9HCNNN4KMMLHR 4Gb, almacenamiento del microprocesador de Ram del ordenador de LPDDR4 BGA200

Datos del producto:

Certificación: Original Parts
Número de modelo: H9HCNNN4KMMLHR

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1 paquete
Precio: Negotiation
Detalles de empaquetado: el 10cm el x 10cm los x 5cm
Tiempo de entrega: 3-5 días
Condiciones de pago: T/T, Paypal, Western Union, fideicomiso y otros
Capacidad de la fuente: 6000pcs por mes
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Descripción detallada del producto
número de artículo: H9HCNNN4KMMLHR Paquete: BGA200
Org.: X16 Densidad: 4 GB
Vol.:: 1.8V-1.1V-0.6V Velocidad: L/M

Almacenamiento del chip de memoria del chip de memoria H9HCNNN4KMMLHR 4Gb LPDDR4 BGA200 de la COPITA del chip de memoria de la COPITA

 

 

Características:

VDD1 = 1.8V (1.7V a 1.95V)
· VDD2 y VDDCA = 1.1V (1.06V a 1.17V)
· VDDQ = 0.6V (0.57V a 0.65V)
· DQ terminado VSSQ señala (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI)
· Sola arquitectura de la tarifa de datos para el comando y la dirección;
  - todo el control y dirección trabaron en el borde de levantamiento del reloj
· Arquitectura doble de la tarifa de datos para el ómnibus de datos;
  - dos accesos a datos por ciclo de reloj
· Entradas de reloj diferenciado (CK_t, CK_c)
· Estroboscópico diferenciado bidireccional de los datos (DQS_t, DQS_c)
  - La transacción síncrona de los datos de la fuente alineó con el estroboscópico diferenciado bidireccional de los datos (DQS_t, DQS_c)
· La ayuda del perno de DMI para escribe los datos que enmascaran y la función de DBIdc
· RL programable (estado latente leído) y WL (escriba el estado latente)
· Longitud de la explosión: 16 (defecto), 32 y simultáneo
  - El modo simultáneo es permitido por la SEÑORA
· El auto restaura y el uno mismo restaura apoyado
· Todos depositan el auto restauran y dirigieron por el auto del banco restauran apoyado
· TCSR auto (el uno mismo compensado temperatura restaura)
· PASR (el uno mismo parcial del arsenal restaura) por la máscara del banco y la máscara del segmento
· Calibración del fondo ZQ
Especificaciones de producto
Número de parte.

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Guarida.

 

Org.

 

Vol.

 

Velocidad

 

Poder

 

PAQUETE

 

Situación del producto

 

H9HCNNN4KMMLHR 4Gb x16 1.8V-1.1V-0.6V L / M Energía baja 200 Producción en masa
H9HCNNN4KUMLHR 4Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L / M Energía baja 200 Producción en masa
H9HCNNN8KUMLHR 8Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L / M Energía baja 200 Producción en masa
H9HCNNNBKMMLHR 16Gb x16 1.8V-1.1V-0.6V M / E Energía baja 200 Producción en masa
H9HCNNNBKUMLHR 16Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V M / E Energía baja 200 Producción en masa
H9HCNNNBPUMLHR 16Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L / M Energía baja 200 Producción en masa
H9HCNNNCPMMLHR 32Gb x16 1.8V-1.1V-0.6V M / E Energía baja 200 Producción en masa
H9HCNNNCPUMLHR 32Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V M / E Energía baja 200 Producción en masa

 

Velocidad
Número de parte Velocidad
L 3200Mbps
M 3733Mbps

 

Contacto
Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Persona de Contacto: Karen.

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