products

Memoria ram de H9CCNNN8JTALAR 8Gb para el almacenamiento de los equipos de escritorio LPDDR3 BGA178

Informacion basica
Certificación: Original Parts
Número de modelo: H9HCNNN4KMMLHR
Cantidad de orden mínima: 1 paquete
Precio: Negotiation
Detalles de empaquetado: el 10cm el x 10cm los x 5cm
Tiempo de entrega: 3-5 días
Condiciones de pago: T/T, Paypal, Western Union, fideicomiso y otros
Capacidad de la fuente: 6000pcs por mes
Información detallada
número de artículo: H9CCNNN8JTALAR Paquete: BGA178
Org.: X32 Densidad: 8GB
Vol.:: 1.8V-1.2V-1.2V Velocidad: T/U
Alta luz:

chip de ordenador de la copita

,

memoria ram de ic


Descripción de producto

Almacenamiento del chip de memoria del chip de memoria H9CCNNN8JTALAR 8Gb LPDDR3 BGA178 de la COPITA

 

 

 

H9CCNNN8JTALAR

 

Características:

[FBGA]

  • Temperatura de la operación
    - -30 ' C ~ 105' C
  • Packcage
    - 178-ball FBGA
    - 11.0x11.5mm2, 1.00t, echada de 0.65m m
    - La ventaja y el halógeno liberan

[LPDDR3]

  • VDD1 = 1.8V (1.7V a 1.95V)
  • VDD2, VDDCA y VDDQ = 1.2V (1.14V a 1,30)
  • Interfaz HSUL_12 (lógica Unterminated de alta velocidad 1.2V)
  • Arquitectura doble de la tarifa de datos para el ómnibus del comando, de la dirección y de datos;
    - todo el control y dirección excepto CS_n, CKE trabaron en el borde de levantamiento y que caía del reloj
    - CS_n, CKE trabó en el borde de levantamiento del reloj
    - dos accesos a datos por ciclo de reloj
  • Entradas de reloj diferenciado (CK_t, CK_c)
  • Estroboscópico diferenciado bidireccional de los datos (DQS_t, DQS_c)
    - La transacción síncrona de los datos de la fuente alineó con el estroboscópico diferenciado bidireccional de los datos (DQS_t, DQS_c)
    - Las salidas de datos alinearon con el borde del estroboscópico de los datos (DQS_t, DQS_c) cuando operación LEÍDA
    - Las entradas de datos alinearon con el centro del estroboscópico de los datos (DQS_t, DQS_c) cuando ESCRIBA la operación
  • Las máscaras del DM escriben datos en el borde de levantamiento y que cae del estroboscópico de los datos
  • RL programable (estado latente leído) y WL (escriba el estado latente)
  • Longitud programable de la explosión: 8
  • El auto restaura y el uno mismo restaura apoyado
  • Todos depositan el auto restauran y por el auto del banco restaure apoyado
  • TCSR auto (el uno mismo compensado temperatura restaura)
  • PASR (el uno mismo parcial del arsenal restaura) por la máscara del banco y la máscara del segmento
  • DS (fuerza de la impulsión)
  • DPD (poder profundo abajo)
  • ZQ (calibración)
  • ODT (en muere la terminación

 

Memoria ram de H9CCNNN8JTALAR 8Gb para el almacenamiento de los equipos de escritorio LPDDR3 BGA178 0

Contacto
Karen.