Certificación: | Original Parts |
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Número de modelo: | H9HCNNNBUUMLHR |
Cantidad de orden mínima: | 1 paquete |
Precio: | Negotiation |
Detalles de empaquetado: | el 10cm el x 10cm los x 5cm |
Tiempo de entrega: | 3-5 días |
Condiciones de pago: | T/T, Paypal, Western Union, fideicomiso y otros |
Capacidad de la fuente: | 6000pcs por mes |
número de artículo: | H9HCNNNBUUMLHR | Paquete: | BGA200 |
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Org.: | X16 | Densidad: | 16 GB |
Vol.:: | 1.8V-1.1V-1.1V | Velocidad: | L |
Alta luz: | memoria de acceso aleatorio dinámica,memoria ram de ic |
Almacenamiento del chip de memoria del chip de memoria H9HCNNNBUUMLHR 16Gb LPDDR4 BGA200 de la COPITA del chip de memoria de la COPITA
Especificaciones
Características
· VDD1 = 1.8V (1.7V a 1.95V)
· VDD2, VDDCA y VDDQ = 1.1V (1,06 a 1,17)
· DQ terminado VSSQ señala (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI)
· Sola arquitectura de la tarifa de datos para el comando y la dirección;
- todo el control y dirección trabaron en el borde de levantamiento del reloj
· Arquitectura doble de la tarifa de datos para el ómnibus de datos;
- dos accesos a datos por ciclo de reloj
· Entradas de reloj diferenciado (CK_t, CK_c)
· Estroboscópico diferenciado bidireccional de los datos (DQS_t, DQS_c)
- La transacción síncrona de los datos de la fuente alineó con el estroboscópico diferenciado bidireccional de los datos (DQS_t, DQS_c)
· La ayuda del perno de DMI para escribe los datos que enmascaran y la función de DBIdc
· RL programable (estado latente leído) y WL (escriba el estado latente)
· Longitud de la explosión: 16 (defecto), 32 y simultáneo
- El modo simultáneo es permitido por la SEÑORA
· El auto restaura y el uno mismo restaura apoyado
· Todos depositan el auto restauran y dirigieron por el auto del banco restauran apoyado
· TCSR auto (el uno mismo compensado temperatura restaura)
· PASR (el uno mismo parcial del arsenal restaura) por la máscara del banco y la máscara del segmento
· Calibración del fondo ZQ
Número de parte. | Guarida. | Org. | Vol. | Velocidad | Poder | PAQUETE | Situación del producto |
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H9HCNNNBUUMLHR | 16Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | Energía baja | 200 | Producción en masa |
H9HKNNNBTUMUAR | 16Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | Energía baja | 272 | Producción en masa |
H9HKNNNBTUMUBR | 16Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | Energía baja | 366 | Producción en masa |
H9HKNNNDGUMUAR | 24Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | Energía baja | 272 | Producción en masa |
H9HKNNNDGUMUBR | 24Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L / M | Energía baja | 366 | Producción en masa |
H9HKNNNCTUMUAR | 32Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | Energía baja | 272 | Producción en masa |
H9HKNNNCTUMUBR | 32Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L / M | Energía baja | 366 | Producción en masa |