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Chip de memoria de la COPITA de H9HCNNNBUUMLHR, Ram de la memoria 16gb para LPDDR4 de computadora personal BGA200

Informacion basica
Certificación: Original Parts
Número de modelo: H9HCNNNBUUMLHR
Cantidad de orden mínima: 1 paquete
Precio: Negotiation
Detalles de empaquetado: el 10cm el x 10cm los x 5cm
Tiempo de entrega: 3-5 días
Condiciones de pago: T/T, Paypal, Western Union, fideicomiso y otros
Capacidad de la fuente: 6000pcs por mes
Información detallada
número de artículo: H9HCNNNBUUMLHR Paquete: BGA200
Org.: X16 Densidad: 16 GB
Vol.:: 1.8V-1.1V-1.1V Velocidad: L
Alta luz:

memoria de acceso aleatorio dinámica

,

memoria ram de ic


Descripción de producto

Almacenamiento del chip de memoria del chip de memoria H9HCNNNBUUMLHR 16Gb LPDDR4 BGA200 de la COPITA del chip de memoria de la COPITA

 

Especificaciones

H9HCNNNBUUMLHR

Características

· VDD1 = 1.8V (1.7V a 1.95V)
· VDD2, VDDCA y VDDQ = 1.1V (1,06 a 1,17)
· DQ terminado VSSQ señala (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI)
· Sola arquitectura de la tarifa de datos para el comando y la dirección;
- todo el control y dirección trabaron en el borde de levantamiento del reloj
· Arquitectura doble de la tarifa de datos para el ómnibus de datos;
- dos accesos a datos por ciclo de reloj
· Entradas de reloj diferenciado (CK_t, CK_c)
· Estroboscópico diferenciado bidireccional de los datos (DQS_t, DQS_c)
- La transacción síncrona de los datos de la fuente alineó con el estroboscópico diferenciado bidireccional de los datos (DQS_t, DQS_c)
· La ayuda del perno de DMI para escribe los datos que enmascaran y la función de DBIdc
· RL programable (estado latente leído) y WL (escriba el estado latente)
· Longitud de la explosión: 16 (defecto), 32 y simultáneo
- El modo simultáneo es permitido por la SEÑORA
· El auto restaura y el uno mismo restaura apoyado
· Todos depositan el auto restauran y dirigieron por el auto del banco restauran apoyado
· TCSR auto (el uno mismo compensado temperatura restaura)
· PASR (el uno mismo parcial del arsenal restaura) por la máscara del banco y la máscara del segmento
· Calibración del fondo ZQ

 

Especificaciones de producto

 

Número de parte.

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Guarida.

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Org.

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Vol.

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Velocidad

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Poder

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PAQUETE

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Situación del producto

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H9HCNNNBUUMLHR 16Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L Energía baja 200 Producción en masa
H9HKNNNBTUMUAR 16Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L Energía baja 272 Producción en masa
H9HKNNNBTUMUBR 16Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L Energía baja 366 Producción en masa
H9HKNNNDGUMUAR 24Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L Energía baja 272 Producción en masa
H9HKNNNDGUMUBR 24Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L / M Energía baja 366 Producción en masa
H9HKNNNCTUMUAR 32Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L Energía baja 272 Producción en masa
H9HKNNNCTUMUBR 32Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L / M Energía baja 366 Producción en masa

 

 

Contacto
Karen.